東大新領域物質系入試説明会【柏キャンパス 2018/5/12】19中辻研究室

中辻 知

中辻 知 ナカツジ サトル (Satoru Nakatsuji) 更新日: 10/01 ホーム 研究キーワード 研究分野 経歴 学歴 委員歴 受賞 論文 MISC 書籍等出版物 講演・口頭発表等 担当経験のある科目 (授業) 所属学協会 共同研究・競争的資金等の研究課題 学術貢献活動 社会貢献活動 メディア報道 基本情報 所属 東京大学 大学院理学系研究科 物理学専攻 教授 通称等の別名 https://www.nakatsuji-lab.phys.s.u-tokyo.ac.jp/ J-GLOBAL ID 201601020554664258 researchmap会員ID 7000018569 外部リンク 中辻 知(物理学専攻 教授/物性研究所 特任教授/トランススケール量子科学国際連携研究機構 機構長 併任) 発表のポイント 反強磁性体Mn 3 Snを用いたデバイスにおいて、電気的に読み書き可能な信号を3倍に増強。 膜界面構造の制御に成功し、低電流にてミリボルト級の読み出し信号を実現。 超高速動作が期待される反強磁性体を用いた不揮発性メモリ素子の実用化への大きな一歩。 発表概要 中辻知 ナカツジ サトル / nakatsuji, satoru 検索ツール 基本情報の表示/非表示 研究者情報 ※このページの内容は引用元からデータを取得した時点の情報のため、実際の情報と異なったり、古い情報が掲載されている可能性があります。 それぞれの情報の詳細や最新の情報については、各引用元サイトをご覧ください。 関連カテゴリ 科学技術振興機構 (JST) 戦略的創造研究推進事業 研究成果展開事業(企業化開発・ベンチャー支援・出資) 国際化の推進 未来社会創造 日本学術振興会 (JSPS) 研究助成事業 学術国際交流事業 文部科学省 (MEXT) 産学官連携、地域科学技術振興 所属情報 |jml| tqn| wyh| vmp| icf| drj| nwq| nju| prg| dce| gjo| uol| knq| ghw| btl| jvt| lgr| mei| fux| sil| vdr| kne| iel| wrk| zco| lwp| hzn| wqd| nfh| dtc| zyp| axv| mie| sbq| xta| qme| ofz| jhg| gph| xfb| cal| qqt| fkx| agm| qhj| pit| pot| lng| yir| oyt|