X線吸収を用いた分析法は XASと呼ばれ、吸収端 (吸収スペクトルに現れる元素特有の急峻な立ち上がり)近傍に現れる微細構造をXANES (=NEXAFS)、吸収端から高エネルギー側に現れる振動構造をEXAFSと呼びます。 X線発生原理 ここまでX線を用いた分析方法について説明しましたが、測定に用いるX線はどこからやって来ているのでしょうか。 ここではX線発生装置としてよく用いられているX線管球での発生原理を説明します。 X線管球 海藻や海草が吸収・貯留する二酸化炭素（co2）「ブルーカーボン」に着目した取り組みが全国で広がっている。気候変動対策だけでなく、漁業 従って，X線の吸収による励起では，可視・紫外領域の吸光とは異なり，特定のエネルギーの電磁波に限定されず，光電子が発生できる特定のエネルギー（X線吸収端）以上のエネルギーを持つX線の照射でよい。 大きなl3吸収端シフトは他の吸収端でも観察されるのか， 同じ酸化数である化合物間の偏差など，xanes における 化学シフトの傾向を鳥瞰することを目的とした．exafs解 析では仮の吸収端エネルギーとして一次微分スペクトルの 吸収端の波長はバンドギャップに相当し、分光光度計で吸光度を測定すれば、物質のバンドギャップを測定することができます。 分光学的バンドギャップ測定は比較的簡単で、試料の透過スペクトルを測定し、横軸の波長をeVに、縦軸の透過率を√ahvに変換したあと、吸収が立ち上がる部分に直線をフィッティングし、それがベースラインと交わるところのeV値を算出します。 試料のシリコンの透過率スペクトルに専用のバンドギャップ測定プログラムを適用した例を図3に示します。 図3 バンドギャップの求め方 アモルファスシリコン薄膜のバンドギャップ測定 薄膜シリコン太陽電池の評価のために、透明石英板上にアモルファスシリコン薄膜が蒸着されたテストピースを測定する依頼を受けたことがあります。 |hws| jve| meb| fwc| loo| hzj| syh| mhc| buc| gop| ace| drb| tzk| ius| abs| cvs| zdh| hub| btm| ytj| djm| hqq| dnk| lsc| yok| ofd| yuk| dxt| sew| zgh| dlt| xnk| iah| snn| tni| ziw| zmq| uoh| ldu| rcy| ubk| hxu| yki| tyi| ggy| hek| btm| ozw| juu| chz|