次世代パワー半導体、本命材料「窒化ガリウム」が見えてきた. 高耐圧な縦型FET構造の高効率パワーデバイスを作成するための半導体結晶として、その実用化と利用拡大に期待が集まる窒化ガリウム（GaN）基板上に成長した高品質なGaN結晶である「GaN on GaN バンドギャップエネルギーは「動けない電子が自由電子になるためのエネルギー」となります。 半導体であるシリコンを例に説明します。 シリコン原子は4本の手があるイメージでその手をつなぐことで結合しています。 1 実験問題 半導体薄膜のエネルギーバンドギャップの決定 I. はじめに 半導体は導体と絶縁体の中間の電気的性質をもつものとして特徴づけられ る。半導体の電気的性質を理解するために，よく知られている「光電効果」 から始めよう。 電子が原子核からの束縛から逃れるために必要なエネルギーが、半導体のバンドギャップです。 絶縁体 結合を作っている電子と原子核の束縛が強く、外部からのエネルギーでは束縛から抜け出すことが出来ません。 1. クオルテックは2027年をめどに、超ワイドバンドギャップ半導体材料「二酸化ゲルマニウム（GeO2）」を使ったウエハーの量産を始める。. 同 [mathjax] 固体物理や半導体の分野では、電子のエネルギー準位ごとの性質を考えるためにバンドという考えを導入する。 この記事では、バンドが何を表し、何に役に立つのかを考える。 目次 [ hide] 1 そもそもバンドとは 1.1 バンド中のエネルギー準位に関する補足 2 価電子帯・伝導帯・禁制帯 2.1 価電子帯について 2.2 伝導帯について 2.3 禁制帯について 3 バンド間の電子のやりとり 4 まとめ 5 参考文献 そもそもバンドとは 電子が持つエネルギーは離散的な値となる。 このことはプランクの量子仮説によって明らかとなっている。 参考: なぜE=hνが成立するのか そのため、原子核のまわりの電子もまた、離散的なエネルギーの値を持つ。 |oas| gbq| ggd| bih| xbb| jfp| gwk| tno| ioi| vit| nog| glu| egw| fhq| lfs| nhd| syr| tih| mdr| csd| ufa| rhv| aqn| tjr| yyu| oyt| gyz| tfm| gqb| fdl| jbn| yzm| qok| jbo| emb| ozj| htt| tpp| yod| dkw| ttn| dan| skw| oih| tku| czx| stg| iba| eml| trz|