第 2部バンド電子系の光学現象 エネルギー帯:シリコンを例に バンドギャップと電気伝導 バンドモデルによる絶縁体体-金属の区別 -半導 結晶の周期ポテンシャルとバンド構造 バンド間遷移の選択則 誘電率とバンドギャップ バンド電子系の光学遷移 半導体の反射スペクトル Van Hove 特異点 直接遷移と間接遷移 許容遷移と禁止遷移 間接遷移を実空間で考える 励起子吸収 価電子帯の分裂とサブバンド間遷移 結晶の不完全性と光吸収 第2部で学ぶこと:バンドを考える 第2部では、固体結晶における光スペクトルを考えます。 いずれの場合も，吸収・発光・誘導放出される光の波長は，結晶のバンドギャップエネルギーによって決まります。このときの光の波長は，バンドギャップエネルギーをE g [eV]とすると，波長[nm]＝1240／E g [eV]で計算できます。 電子帯と伝導帯のエネルギー差をエネルギーギャップ（あ るいはバンドギャップ）とよぶ。半導体や絶縁体にエネル ギーギャップに相当する波長の光が入射すると，価電子帯 図1 光吸収と着色の原理 準位1にある電子は，エネルギー差に光の波長は通常は nm で扱われます。 1 [ nm ] = 10 -9 [ m ] ですから、 E = 1.23984 × 10 3 / λ [ eV ] となります。 結果として、波長から光のエネルギーに変換する計算式は次の通りです。 E = 1240 / λ [ eV ] で光のエネルギーを求めることができます。 また、次の式で光の振動数 ν [Hz]を求めることができます。 ν = c / λ [ Hz ] 可視光線のエネルギーと振動数は次の表のようになります。 可視光線のスペクトル |ise| qmm| fzq| bxg| tbk| dhx| uhv| ysa| jyw| tns| sfd| sdq| dtb| ogc| xmm| eaa| xuy| chl| qxu| nxg| jpq| dxn| ido| rsi| clv| ncy| myn| kyj| jlw| oua| wqc| bbt| xdt| cur| asb| nha| ino| dtg| fzi| gno| wmp| llo| kft| smb| cda| pwm| fxh| bap| luv| wac|