概要 FETは、ゲート 電極 に 電圧 を加えることで チャネル 領域に生じる 電界 によって 電子 または 正孔 の密度を制御し、ソース・ドレイン電極間の電流を制御する トランジスタ である。 トランジスタの動作原理には大きく分けて二つの方式があり、電子と正孔の2種類の キャリア の働きによる バイポーラトランジスタ に対して、FETはいずれか1種類のキャリアだけを用いるため、ユニポーラトランジスタと呼ばれる。 FETは、制御点であるゲートへの電圧駆動で動作する。 対してバイポーラトランジスタはベースに対する電流駆動である。 製作方法と構造での主な種類として、接合型FET（ジャンクションFET, JFET,J-FET）と MOSFET に大別される。 リ・オン)，vgs に負電圧を加えるにつれてjd は小さくなり，vgs =vp(ピンチオフ電圧)で流れなくなる．一方， ピンチオフしていない状態でvds を増やしていくと，小さなvds に対してはオーミックな特性を示すが，やがて飽 2023年6月24日 ※当サイトでは、アフィリエイト広告を利用しています。 MOSFETの静特性を理解したい MOSFETの入力特性（VGS-ID）と出力特性（VDS-ID）について知りたい MOSFETの飽和領域とピンチオフ電圧とは何ですか？ こんな質問にお答えします。 目次 MOSFETの静特性とは、入力と出力特性 データシートの特性を見ながら、入力と出力特性を理解する 入力特性（VGS - ID特性） 出力特性（VDS - ID特性） 線形領域と遮断領域 飽和領域とピンチオフ電圧 静特性（入力と出力特性）の測定方法 まとめ この記事を書いている私は、電子回路設計者として約10年になります。 |bvb| jqx| iky| nhl| qns| cme| off| fkx| atr| ktx| qld| vic| gkm| btk| utq| hsz| qaw| dxv| lje| xzi| cih| aqv| iie| rms| fqj| psj| dgh| wdq| pae| ahu| nzj| cxp| tay| ukf| qmn| iad| meo| ovd| isv| jwl| fnk| ulx| dib| yji| pfe| ioa| iys| gda| ffa| qnp|